JAN1N5550
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| Numero parte | JAN1N5550 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | JAN1N5550 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 521 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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JAN1N5550 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JAN1N5550 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JAN1N5550 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | B, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB (D²PAK) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 790mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 600µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AA, DO-27, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 790mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 100V Capacità @ Vr, F 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore SMB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 30A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 350µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore TO-262AA Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 15A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 450ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
