JAN1N5530B-1
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| Numero parte | JAN1N5530B-1 |
| PNEDA Part # | JAN1N5530B-1 |
| Descrizione | DIODE ZENER 10V 500MW DO35 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.364 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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JAN1N5530B-1 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JAN1N5530B-1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Diodi Zener - Singolo |
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JAN1N5530B-1 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/437 |
| Tensione - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
| Tolleranza | ±5% |
| Potenza - Max | 500mW |
| Impedenza (Max) (Zzt) | 60 Ohms |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 9.1V |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 (DO-204AH) |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tensione - Zener (Nom) (Vz) 100V Tolleranza ±20% Potenza - Max 3W Impedenza (Max) (Zzt) 250 Ohms Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 76V Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 200mA Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-216AA Pacchetto dispositivo fornitore DO-216AA |
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