JAN1N1190R
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| Numero parte | JAN1N1190R |
| PNEDA Part # | JAN1N1190R |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.742 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 8 - giu 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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JAN1N1190R Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JAN1N1190R |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JAN1N1190R Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/297 |
| Tipo di diodo | Standard, Reverse Polarity |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 35A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 110A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Sanken Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia Axial Pacchetto dispositivo fornitore Axial Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 85A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 267A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-203AB (DO-5) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 180°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 70A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 500ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-55 T-Module Pacchetto dispositivo fornitore D-55 Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Global Power Technologies Group Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 30A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.45V @ 30A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 9µA @ 650V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione - |
