J112
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| Numero parte | J112 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | J112 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 19.030 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 8 - mag 13 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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J112 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | J112 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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J112 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 35V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 15V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 1V @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Resistenza - RDS (On) | 50 Ohms |
| Potenza - Max | 625mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) 15V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max 50mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 200mV @ 100µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 200mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore 3-CP |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 35V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) 50 Ohms Potenza - Max 625mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 16mA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max 50mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 300mV @ 100µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 5-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore 5-MCPH |
Produttore Vishay Siliconix Serie * Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/385 Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 175mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 10V @ 500pA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 10V Resistenza - RDS (On) 25 Ohms Potenza - Max 360mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-18 (TO-206AA) |
