J111_D27Z
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| Numero parte | J111_D27Z |
| PNEDA Part # | J111_D27Z |
| Descrizione | JFET N-CH 35V 625MW TO92 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.244 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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J111_D27Z Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | J111_D27Z |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
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J111_D27Z Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 35V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 20mA @ 15V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 3V @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Resistenza - RDS (On) | 30 Ohms |
| Potenza - Max | 625mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 500mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) 18 Ohms Potenza - Max 310mW Temperatura di esercizio 135°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
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