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J108

J108

Solo per riferimento

Numero parte J108
PNEDA Part # J108
Descrizione JFET N-CH 25V 625MW TO92
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.070
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

J108 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJ108
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
J108, J108 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 129,73 KB)
PDFJ108_D74Z Datasheet Copertura
J108_D74Z Datasheet Pagina 2 J108_D74Z Datasheet Pagina 3 J108_D74Z Datasheet Pagina 4 J108_D74Z Datasheet Pagina 5 J108_D74Z Datasheet Pagina 6 J108_D74Z Datasheet Pagina 7

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J108 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)25V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)80mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id3V @ 10nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Resistenza - RDS (On)8 Ohms
Potenza - Max625mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 3nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

10 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

PN4092

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

15mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 20V

Resistenza - RDS (On)

50 Ohms

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2N4392

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

KSK596PCWD

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

20V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100µA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

600mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3.5pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92S

MCH5908G-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

50mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

300mV @ 100µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10.5pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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