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IXYP10N65C3D1

IXYP10N65C3D1

Solo per riferimento

Numero parte IXYP10N65C3D1
PNEDA Part # IXYP10N65C3D1
Descrizione IGBT 650V 30A 160W TO-220
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.416
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXYP10N65C3D1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXYP10N65C3D1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXYP10N65C3D1, IXYP10N65C3D1 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 209,08 KB)
PDFIXYP10N65C3D1 Datasheet Copertura
IXYP10N65C3D1 Datasheet Pagina 2 IXYP10N65C3D1 Datasheet Pagina 3 IXYP10N65C3D1 Datasheet Pagina 4 IXYP10N65C3D1 Datasheet Pagina 5 IXYP10N65C3D1 Datasheet Pagina 6 IXYP10N65C3D1 Datasheet Pagina 7

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IXYP10N65C3D1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieGenX3™, XPT™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)54A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 10A
Potenza - Max160W
Switching Energy240µJ (on), 110µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge18nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C20ns/77ns
Condizione di test400V, 10A, 50Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)170ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

Potenza - Max

500W

Switching Energy

3.1mJ (on), 2.9mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

190nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

32ns/328ns

Condizione di test

600V, 40A, 12Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3-46

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

125A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

420A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 50A

Potenza - Max

660W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

210nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

46ns/205ns

Condizione di test

960V, 50A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

1.7µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247PLUS-HV

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.81V @ 15V, 40A

Potenza - Max

268W

Switching Energy

1.22mJ (on), 440µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

68nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/64ns

Condizione di test

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

101ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 7A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

165µJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

23nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

480V, 7A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

37ns

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Gate Charge

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

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Tipo di montaggio

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