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IXYH75N65C3H1

IXYH75N65C3H1

Solo per riferimento

Numero parte IXYH75N65C3H1
PNEDA Part # IXYH75N65C3H1
Descrizione IGBT 650V 170A 750W TO247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.446
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXYH75N65C3H1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXYH75N65C3H1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXYH75N65C3H1, IXYH75N65C3H1 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 231,97 KB)
PDFIXYH75N65C3H1 Datasheet Copertura
IXYH75N65C3H1 Datasheet Pagina 2 IXYH75N65C3H1 Datasheet Pagina 3 IXYH75N65C3H1 Datasheet Pagina 4 IXYH75N65C3H1 Datasheet Pagina 5 IXYH75N65C3H1 Datasheet Pagina 6 IXYH75N65C3H1 Datasheet Pagina 7

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IXYH75N65C3H1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieGenX3™, XPT™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)170A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)360A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 60A
Potenza - Max750W
Switching Energy2.8mJ (on), 1mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge123nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C27ns/93ns
Condizione di test400V, 60A, 3Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)150ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247 (IXYH)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

34A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

55µJ (on), 150µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

60nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

11ns/100ns

Condizione di test

390V, 7A, 25Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

RGTH50TK65GC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

26A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Potenza - Max

59W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

49nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

27ns/94ns

Condizione di test

400V, 25A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3PFM, SC-93-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PFM

IRG7PH42UD1PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

85A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

313W

Switching Energy

1.21mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

180nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/270ns

Condizione di test

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

IRGS4062DTRLPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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