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IXYH16N250CV1HV

IXYH16N250CV1HV

Solo per riferimento

Numero parte IXYH16N250CV1HV
PNEDA Part # IXYH16N250CV1HV
Descrizione IGBT 2500V 35A TO247HV
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.370
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXYH16N250CV1HV Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXYH16N250CV1HV
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXYH16N250CV1HV, IXYH16N250CV1HV Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 215,75 KB)
PDFIXYH16N250CV1HV Datasheet Copertura
IXYH16N250CV1HV Datasheet Pagina 2 IXYH16N250CV1HV Datasheet Pagina 3 IXYH16N250CV1HV Datasheet Pagina 4 IXYH16N250CV1HV Datasheet Pagina 5 IXYH16N250CV1HV Datasheet Pagina 6 IXYH16N250CV1HV Datasheet Pagina 7

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IXYH16N250CV1HV Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieXPT™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)2500V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)35A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)126A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 16A
Potenza - Max500W
Switching Energy4.75mJ (on), 3.9mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge97nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C14ns/260ns
Condizione di test1250V, 16A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)19ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247 (IXYH)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

64A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

70µJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

27nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/190ns

Condizione di test

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

IXBT2N250

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

13A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 2A

Potenza - Max

32W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

10.6nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

920ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

19A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

38A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Potenza - Max

52W

Switching Energy

127µJ (on), 334µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

56nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/173ns

Condizione di test

400V, 15A, 22Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

67ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB Full-Pak

FGD2N40L

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

7A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

29A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 2.4V, 2.5A

Potenza - Max

29W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

11nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

47ns/650ns

Condizione di test

300V, 2.5A, 51Ohm, 4V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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51A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

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-

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Gate Charge

32nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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