IXXR110N65B4H1
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| Numero parte | IXXR110N65B4H1 |
| PNEDA Part # | IXXR110N65B4H1 |
| Descrizione | IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.572 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXXR110N65B4H1 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXXR110N65B4H1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
IXXR110N65B4H1, IXXR110N65B4H1 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 217,47 KB)
  
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IXXR110N65B4H1 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | GenX4™, XPT™ |
| Tipo IGBT | PT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 150A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 460A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 110A |
| Potenza - Max | 455W |
| Switching Energy | 2.2mJ (on), 1.05mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 183nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 38ns/156ns |
| Condizione di test | 400V, 55A, 2Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS247™ |
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