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IXTV250N075T

IXTV250N075T

Solo per riferimento

Numero parte IXTV250N075T
PNEDA Part # IXTV250N075T
Descrizione MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.042
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXTV250N075T Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXTV250N075T
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXTV250N075T, IXTV250N075T Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 294,67 KB)
PDFIXTV250N075TS Datasheet Copertura
IXTV250N075TS Datasheet Pagina 2 IXTV250N075TS Datasheet Pagina 3 IXTV250N075TS Datasheet Pagina 4 IXTV250N075TS Datasheet Pagina 5

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IXTV250N075T Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieTrenchMV™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C250A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds9900pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)550W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePLUS220
Pacchetto / CustodiaTO-220-3, Short Tab

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2530pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IPP60R600E6XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

63W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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SIHP38N60EF-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

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Tipo FET

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MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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Funzione FET

-

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Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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