IXTU01N100D
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| Numero parte | IXTU01N100D |
| PNEDA Part # | IXTU01N100D |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.988 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTU01N100D Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXTU01N100D |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IXTU01N100D Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80Ohm @ 50mA, 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 25V |
| Funzione FET | Depletion Mode |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251 |
| Pacchetto / Custodia | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 39A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 23A, 7V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 57W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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