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IXTP36N30T

IXTP36N30T

Solo per riferimento

Numero parte IXTP36N30T
PNEDA Part # IXTP36N30T
Descrizione MOSFET N-CH 300V 36A TO-220
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.358
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXTP36N30T Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXTP36N30T
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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IXTP36N30T Specifiche

ProduttoreIXYS
SeriePolarHT™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C36A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 10V
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2250pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / CustodiaTO-220-3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Ta), 180A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6580pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DIRECTFET™ MT

Pacchetto / Custodia

DirectFET™ Isometric MT

BSO094N03S

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.56W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-DSO-8

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

BUK9514-55A,127

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

73A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3307pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

149W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

JANTXV2N6798

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/557

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42.07nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

800mW (Ta), 25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-205AF (TO-39)

Pacchetto / Custodia

TO-205AF Metal Can

BSS138L

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.75V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

350mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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