IXTP1N80P
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Numero parte | IXTP1N80P |
PNEDA Part # | IXTP1N80P |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 1A TO-220 |
Produttore | IXYS |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.424 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTP1N80P Risorse
Brand | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IXTP1N80P |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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IXTP1N80P Specifiche
Produttore | IXYS |
Serie | Polar™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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