IXTP15P15T
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| Numero parte | IXTP15P15T |
| PNEDA Part # | IXTP15P15T |
| Descrizione | MOSFET P-CH 150V 15A TO-220 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.834 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTP15P15T Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXTP15P15T |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IXTP15P15T Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | TrenchP™ |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 150V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3650pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 37A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 10-PolarPAK® (LH) Pacchetto / Custodia 10-PolarPAK® (LH) |
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