IXTL2N470
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| Numero parte | IXTL2N470 |
| PNEDA Part # | IXTL2N470 |
| Descrizione | MOSFET N-CH |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.146 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXTL2N470 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXTL2N470 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IXTL2N470 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 4700V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6860pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 220W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Pacchetto / Custodia | ISOPLUSi5-Pak™ |
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