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IXTH75N15

IXTH75N15

Solo per riferimento

Numero parte IXTH75N15
PNEDA Part # IXTH75N15
Descrizione MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.462
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXTH75N15 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXTH75N15
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXTH75N15, IXTH75N15 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 583,64 KB)
PDFIXTH75N15 Datasheet Copertura
IXTH75N15 Datasheet Pagina 2 IXTH75N15 Datasheet Pagina 3 IXTH75N15 Datasheet Pagina 4 IXTH75N15 Datasheet Pagina 5

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IXTH75N15 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs210nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5400pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)330W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247 (IXTH)
Pacchetto / CustodiaTO-247-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

TrenchMV™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

160A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

132nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

430W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXTH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

SI5480DU-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1230pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® ChipFet Single

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® ChipFET™ Single

DMG1012T-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

630mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.74nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

60.67pF @ 16V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

280mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523

Pacchetto / Custodia

SOT-523

STP70NF03L

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 5V

Vgs (massimo)

±18V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1440pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

100W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

TPCF8B01(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIII

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 10V

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

330mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

VS-8 (2.9x1.5)

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Venduto di recente

ADM3202ARN

ADM3202ARN

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

MAX3078EESA+T

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Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

ADUM7641CRQZ

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Analog Devices

DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 20QSOP

ATMEGA128-16AU

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 128KB FLASH 64TQFP

DS5000-32-16+

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Maxim Integrated

IC MCU 8BIT 32KB NVSRAM 40EDIP

TLP227G-2(TP1,N,F)

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-350V

LT1118CST-2.5#TRPBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN 2.5V 800MA SOT223-3

JS28F128J3F75A

JS28F128J3F75A

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

EEU-ED2G220

EEU-ED2G220

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 22UF 20% 400V RADIAL

BLM18PG121SN1D

BLM18PG121SN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

ACPL-C78A-000E

ACPL-C78A-000E

Broadcom

IC OPAMP ISOLATION 1 CIRC 8SSO

LT3010EMS8E#TRPBF

LT3010EMS8E#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 50MA 8MSOP