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IXTA140P05T

IXTA140P05T

Solo per riferimento

Numero parte IXTA140P05T
PNEDA Part # IXTA140P05T
Descrizione MOSFET P-CH 50V 140A TO-263
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.652
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXTA140P05T Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXTA140P05T
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXTA140P05T, IXTA140P05T Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 217,2 KB)
PDFIXTH140P05T Datasheet Copertura
IXTH140P05T Datasheet Pagina 2 IXTH140P05T Datasheet Pagina 3 IXTH140P05T Datasheet Pagina 4 IXTH140P05T Datasheet Pagina 5 IXTH140P05T Datasheet Pagina 6

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IXTA140P05T Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieTrenchP™
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C140A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200nC @ 10V
Vgs (massimo)±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13500pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)298W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263 (IXTA)
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A (Ta), 45A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D²Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

63mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

485pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

40W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

600mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

21.3pF @ 10V

Funzione FET

Standard

Dissipazione di potenza (max)

2.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

65A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1030pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

75W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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