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IXST35N120B

IXST35N120B

Solo per riferimento

Numero parte IXST35N120B
PNEDA Part # IXST35N120B
Descrizione IGBT 1200V 70A 300W TO268
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.834
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 6 - giu 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXST35N120B Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXST35N120B
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXST35N120B, IXST35N120B Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 82,37 KB)
PDFIXST35N120B Datasheet Copertura
IXST35N120B Datasheet Pagina 2

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IXST35N120B Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)70A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)140A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 35A
Potenza - Max300W
Switching Energy5mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge120nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C36ns/160ns
Condizione di test960V, 35A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

390V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/5µs

Condizione di test

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

HGTP7N60C3D

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 7A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

165µJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

23nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

480V, 7A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

305µJ (on), 181µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

102nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

29.5ns/118ns

Condizione di test

390V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

40ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

180A

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125nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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