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IXST30N60BD1

IXST30N60BD1

Solo per riferimento

Numero parte IXST30N60BD1
PNEDA Part # IXST30N60BD1
Descrizione IGBT 600V 55A 200W TO268
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.034
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 7 - giu 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXST30N60BD1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXST30N60BD1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXST30N60BD1, IXST30N60BD1 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 119,01 KB)
PDFIXSK30N60BD1 Datasheet Copertura
IXSK30N60BD1 Datasheet Pagina 2 IXSK30N60BD1 Datasheet Pagina 3 IXSK30N60BD1 Datasheet Pagina 4 IXSK30N60BD1 Datasheet Pagina 5

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IXST30N60BD1 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)55A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)110A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 55A
Potenza - Max200W
Switching Energy1.5mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge100nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C30ns/150ns
Condizione di test480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)50ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

59A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.77V @ 15V, 24A

Potenza - Max

246W

Switching Energy

532µJ (on), 311µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

77nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/90ns

Condizione di test

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

102ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK

HGTP10N120BN

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Potenza - Max

298W

Switching Energy

320µJ (on), 800µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/165ns

Condizione di test

960V, 10A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

IRG4PSH71KDPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

78A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

156A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 42A

Potenza - Max

350W

Switching Energy

5.68mJ (on), 3.23mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

410nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

67ns/230ns

Condizione di test

800V, 42A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

107ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-274AA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

Potenza - Max

375W

Switching Energy

626µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

306nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/160ns

Condizione di test

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Gate Charge

170nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

83ns/170ns

Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

72ns

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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