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IXST30N60B2D1

IXST30N60B2D1

Solo per riferimento

Numero parte IXST30N60B2D1
PNEDA Part # IXST30N60B2D1
Descrizione IGBT 600V 48A 250W TO268
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.366
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXST30N60B2D1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXST30N60B2D1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXST30N60B2D1, IXST30N60B2D1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 516,77 KB)
PDFIXST30N60B2D1 Datasheet Copertura
IXST30N60B2D1 Datasheet Pagina 2 IXST30N60B2D1 Datasheet Pagina 3 IXST30N60B2D1 Datasheet Pagina 4 IXST30N60B2D1 Datasheet Pagina 5 IXST30N60B2D1 Datasheet Pagina 6

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IXST30N60B2D1 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)48A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 24A
Potenza - Max250W
Switching Energy550µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge50nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C30ns/130ns
Condizione di test400V, 24A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)30ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268

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IRG4RC10UTRR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8.5A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Potenza - Max

38W

Switching Energy

80µJ (on), 160µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

15nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/116ns

Condizione di test

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

Potenza - Max

300W

Switching Energy

200µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

95nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/90ns

Condizione di test

400V, 30A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

APT30GP60BG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

Potenza - Max

463W

Switching Energy

260µJ (on), 250µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

90nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

13ns/55ns

Condizione di test

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

IRG4BC30W-STRL

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

23A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

130µJ (on), 130µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

51nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/99ns

Condizione di test

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

78A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

Potenza - Max

325W

Switching Energy

3.8mJ (on), 4.1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

106nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

600V, 35A, 27Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

350ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (HB)

Venduto di recente

TAJD107K020RNJ

TAJD107K020RNJ

CAP TANT 100UF 10% 20V 2917

EPC2032

EPC2032

EPC

GANFET TRANS 100V 48A BUMPED DIE

0501010.WR

0501010.WR

Littelfuse

FUSE BOARD MOUNT 10A 32VDC 1206

DLW5BTN101SQ2L

DLW5BTN101SQ2L

Murata

CMC 6A 2LN 100 OHM SMD

BSS138

BSS138

MICROSS/On Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA DIE

7A-8.000MAAE-T

7A-8.000MAAE-T

TXC

CRYSTAL 8.0000MHZ 12PF SMD

MF-USMF050-2

MF-USMF050-2

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PTC RESET FUSE 13.2V 500MA 1210

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FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC AXIAL

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3224W-1-101E

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YC324-JK-071KL

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Yageo

RES ARRAY 4 RES 1K OHM 2012

S25FL208K0RMFI041

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Cypress Semiconductor

IC FLASH 8M SPI 76MHZ 8SOIC