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IXSP20N60B2D1

IXSP20N60B2D1

Solo per riferimento

Numero parte IXSP20N60B2D1
PNEDA Part # IXSP20N60B2D1
Descrizione IGBT 600V 35A 190W TO220
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.934
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXSP20N60B2D1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXSP20N60B2D1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXSP20N60B2D1, IXSP20N60B2D1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 175,71 KB)
PDFIXSA20N60B2D1 Datasheet Copertura
IXSA20N60B2D1 Datasheet Pagina 2 IXSA20N60B2D1 Datasheet Pagina 3 IXSA20N60B2D1 Datasheet Pagina 4 IXSA20N60B2D1 Datasheet Pagina 5 IXSA20N60B2D1 Datasheet Pagina 6

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IXSP20N60B2D1 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)35A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 16A
Potenza - Max190W
Switching Energy380µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge33nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C30ns/116ns
Condizione di test480V, 16A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)30ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

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Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Potenza - Max

400W

Switching Energy

4.7mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

135nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/350ns

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

IRGS30B60KTRRP

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

78A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

Potenza - Max

370W

Switching Energy

350µJ (on), 825µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

102nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

46ns/185ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

RGT40NS65DGC9

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Potenza - Max

161W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

40nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/75ns

Condizione di test

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

58ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-262

IXBH2N250

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

13A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 2A

Potenza - Max

32W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

10.6nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

920ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXBH)

FIO50-12BD

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 30A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

4.6mJ (on), 2.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

150nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

600V, 30A, 39Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

i4-Pac™-5

Pacchetto dispositivo fornitore

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Venduto di recente

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FMMT593TA

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Diodes Incorporated

TRANS PNP 100V 1A SOT23-3

1N4007G

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ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

T520D337M006ATE015

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KEMET

CAP TANT POLY 330UF 6.3V 2917

LTM4625IY#PBF

LTM4625IY#PBF

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DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 5A