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IXSK40N60CD1

IXSK40N60CD1

Solo per riferimento

Numero parte IXSK40N60CD1
PNEDA Part # IXSK40N60CD1
Descrizione IGBT 600V 75A 280W TO264
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.562
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXSK40N60CD1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXSK40N60CD1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXSK40N60CD1, IXSK40N60CD1 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 46,64 KB)
PDFIXSX40N60CD1 Datasheet Copertura
IXSX40N60CD1 Datasheet Pagina 2

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IXSK40N60CD1 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)75A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 40A
Potenza - Max280W
Switching Energy1mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge190nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C50ns/70ns
Condizione di test480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)35ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-264AA(IXSK)

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

Potenza - Max

469W

Switching Energy

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

414nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

84ns/280ns

Condizione di test

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-4L

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

390V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

46A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

32nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/10.8µs

Condizione di test

300V, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 4V, 200A

Potenza - Max

1W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

3.1µs/2µs

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP (5.5x6.0)

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

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