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IXSH15N120BD1

IXSH15N120BD1

Solo per riferimento

Numero parte IXSH15N120BD1
PNEDA Part # IXSH15N120BD1
Descrizione IGBT 1200V 30A 150W TO247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.506
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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IXSH15N120BD1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXSH15N120BD1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXSH15N120BD1, IXSH15N120BD1 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 56,54 KB)
PDFIXST15N120BD1 Datasheet Copertura
IXST15N120BD1 Datasheet Pagina 2

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IXSH15N120BD1 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 15A
Potenza - Max150W
Switching Energy1.5mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge57nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C30ns/148ns
Condizione di test960V, 15A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)30ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXSH)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

Potenza - Max

298W

Switching Energy

1.81mJ (on), 810µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

188nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/130ns

Condizione di test

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

47ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

IRG4PC50UPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

55A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 27A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

120µJ (on), 540µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

180nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

32ns/170ns

Condizione di test

480V, 27A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

AUIRG4BC30SSTRL

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

34A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

68A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

260µJ (on), 3.45mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

50nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/540ns

Condizione di test

480V, 18A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

340A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

900A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Potenza - Max

1630W

Switching Energy

3mJ (on), 1.7mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

315nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

47ns/125ns

Condizione di test

360V, 100A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXXK)

Produttore

IXYS

Serie

XPT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Potenza - Max

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Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

260nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/236ns

Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

255ns

Temperatura di esercizio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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