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IXS839BQ2T/R

IXS839BQ2T/R

Solo per riferimento

Numero parte IXS839BQ2T/R
PNEDA Part # IXS839BQ2T-R
Descrizione IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.412
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 9 - giu 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXS839BQ2T/R Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXS839BQ2T/R
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
IXS839BQ2T/R, IXS839BQ2T/R Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 312,37 KB)
PDFIXS839S1T/R Datasheet Copertura
IXS839S1T/R Datasheet Pagina 2 IXS839S1T/R Datasheet Pagina 3 IXS839S1T/R Datasheet Pagina 4 IXS839S1T/R Datasheet Pagina 5 IXS839S1T/R Datasheet Pagina 6 IXS839S1T/R Datasheet Pagina 7 IXS839S1T/R Datasheet Pagina 8 IXS839S1T/R Datasheet Pagina 9 IXS839S1T/R Datasheet Pagina 10 IXS839S1T/R Datasheet Pagina 11

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IXS839BQ2T/R Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)2A, 4A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)24V
Tempo di salita / discesa (tipico)20ns, 15ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia10-VFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore10-QFN (3x3)

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

7V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.25A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

26ns, 18ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-DFN (3x3)

MC33152VDR2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

6.1V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.6V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

36ns, 32ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

FAN73711M

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 15ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

LTC4442IMS8E#PBF

Linear Technology/Analog Devices

Produttore

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

6V ~ 9.5V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2.4A, 2.4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

42V

Tempo di salita / discesa (tipico)

12ns, 8ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP-EP

UCC21222DR

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

3V ~ 5.5V

Tensione logica - VIL, VIH

1.25V, 1.6V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 6A

Tipo di ingresso

CMOS/TTL

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

5ns, 6ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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