IXGX64N60B3D1
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| Numero parte | IXGX64N60B3D1 |
| PNEDA Part # | IXGX64N60B3D1 |
| Descrizione | IGBT 600V 460W PLUS247 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.718 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXGX64N60B3D1 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXGX64N60B3D1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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IXGX64N60B3D1 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | GenX3™ |
| Tipo IGBT | PT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 400A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 50A |
| Potenza - Max | 460W |
| Switching Energy | 1.5mJ (on), 1mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 168nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 25ns/138ns |
| Condizione di test | 480V, 50A, 3Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
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Produttore IXYS Serie XPT™, GenX3™ Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 20A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Potenza - Max 230W Switching Energy 430µJ (on), 650µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 30nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 19ns/80ns Condizione di test 400V, 20A, 20Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 34ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AA |
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Produttore IXYS Serie GenX3™, XPT™ Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 130A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 36A Potenza - Max 600W Switching Energy 1.3mJ (on), 370µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 80nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 22ns/80ns Condizione di test 400V, 36A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 78A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 129A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 25A Potenza - Max 337W Switching Energy 875µJ (on), 425µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 116nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 12ns/82ns Condizione di test 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B] |
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