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IXGR60N60B2D1

IXGR60N60B2D1

Solo per riferimento

Numero parte IXGR60N60B2D1
PNEDA Part # IXGR60N60B2D1
Descrizione IGBT 600V 75A 250W ISOPLUS247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.652
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGR60N60B2D1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGR60N60B2D1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGR60N60B2D1, IXGR60N60B2D1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 507,98 KB)
PDFIXGR60N60B2D1 Datasheet Copertura
IXGR60N60B2D1 Datasheet Pagina 2 IXGR60N60B2D1 Datasheet Pagina 3 IXGR60N60B2D1 Datasheet Pagina 4 IXGR60N60B2D1 Datasheet Pagina 5 IXGR60N60B2D1 Datasheet Pagina 6

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IXGR60N60B2D1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)75A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 50A
Potenza - Max250W
Switching Energy1mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge170nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C28ns/160ns
Condizione di test400V, 50A, 3.3Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)35ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS247™

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

22A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

44A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 10A

Potenza - Max

156W

Switching Energy

140µJ (on), 250µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

38nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/230ns

Condizione di test

400V, 10A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

90ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

FGA60N60UFDTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

Potenza - Max

298W

Switching Energy

1.81mJ (on), 810µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

188nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/130ns

Condizione di test

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

47ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PN

NGTB20N60L2TF1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 20A

Potenza - Max

64W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

84nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/193ns

Condizione di test

300V, 20A, 30Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

70ns

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3PFM, SC-93-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF-3

IRGP4066-EPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

140A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Potenza - Max

454W

Switching Energy

2.47mJ (on), 2.16mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

150nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/200ns

Condizione di test

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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-

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