IXGR35N120BD1
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| Numero parte | IXGR35N120BD1 |
| PNEDA Part # | IXGR35N120BD1 |
| Descrizione | IGBT 1200V 54A 250W ISOPLUS247 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.474 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGR35N120BD1 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXGR35N120BD1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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IXGR35N120BD1 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 54A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 35A |
| Potenza - Max | 250W |
| Switching Energy | 900µJ (on), 3.8mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 140nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 40ns/270ns |
| Condizione di test | 960V, 35A, 3Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | ISOPLUS247™ |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS247™ |
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Produttore IXYS Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 55A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 110A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A Potenza - Max 200W Switching Energy 700µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 100nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 30ns/90ns Condizione di test 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Pacchetto dispositivo fornitore TO-268 |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso - Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 900V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 72A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 110A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 25A Potenza - Max 417W Switching Energy 370µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 110nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 13ns/55ns Condizione di test 600V, 25A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B] |
