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IXGJ40N60C2D1

IXGJ40N60C2D1

Solo per riferimento

Numero parte IXGJ40N60C2D1
PNEDA Part # IXGJ40N60C2D1
Descrizione IGBT 600V 75A 300W TO268
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.310
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGJ40N60C2D1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGJ40N60C2D1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGJ40N60C2D1, IXGJ40N60C2D1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 170,25 KB)
PDFIXGT40N60C2D1 Datasheet Copertura
IXGT40N60C2D1 Datasheet Pagina 2 IXGT40N60C2D1 Datasheet Pagina 3 IXGT40N60C2D1 Datasheet Pagina 4 IXGT40N60C2D1 Datasheet Pagina 5 IXGT40N60C2D1 Datasheet Pagina 6

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IXGJ40N60C2D1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)75A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 30A
Potenza - Max300W
Switching Energy200µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge95nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C18ns/90ns
Condizione di test400V, 30A, 3Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3, Short Tab
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Potenza - Max

455W

Switching Energy

1.06mJ (on), 1.56mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

126nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

55ns/189ns

Condizione di test

400V, 75A, 15Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

36ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-4

NGB8206N

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

390V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/5µs

Condizione di test

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

RGS00TS65HRC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

88A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Potenza - Max

326W

Switching Energy

1.46mJ (on), 1.29mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

58nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

36ns/115ns

Condizione di test

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247N

IXBX55N300

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

130A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 55A

Potenza - Max

625W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

335nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.9µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

IXYS

Serie

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Tipo IGBT

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Tempo di recupero inverso (trr)

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Temperatura di esercizio

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