IXGH32N90B2
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| Numero parte | IXGH32N90B2 |
| PNEDA Part # | IXGH32N90B2 |
| Descrizione | IGBT 900V 64A 300W TO247 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.114 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGH32N90B2 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXGH32N90B2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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IXGH32N90B2 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | HiPerFAST™ |
| Tipo IGBT | PT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 900V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 64A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 32A |
| Potenza - Max | 300W |
| Switching Energy | 2.6mJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 89nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 20ns/260ns |
| Condizione di test | 720V, 32A, 5Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXGH) |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1500V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 10A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 5.5V @ 10V, 5A Potenza - Max 50W Switching Energy 190µJ (on), 100µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 30nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 10ns/30ns Condizione di test 600V, 5A, 10Ohm, 10V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-220F |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 47A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 54A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 18A Potenza - Max 206W Switching Energy 95µJ (on), 350µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 35nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 40ns/105ns Condizione di test 400V, 18A, 22Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 100ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
Produttore IXYS Serie - Tipo IGBT Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 330V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 90A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 45A Potenza - Max 200W Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge 69nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P |
Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® Tipo IGBT PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A Potenza - Max 463W Switching Energy 260µJ (on), 250µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 90nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 13ns/55ns Condizione di test 400V, 30A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B] |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 57A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 114A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 33A Potenza - Max 200W Switching Energy 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 251nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 32ns/845ns Condizione di test 960V, 33A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC |
