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IXGH25N120A

IXGH25N120A

Solo per riferimento

Numero parte IXGH25N120A
PNEDA Part # IXGH25N120A
Descrizione IGBT 1200V 50A 200W TO247AD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.248
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGH25N120A Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGH25N120A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGH25N120A, IXGH25N120A Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 45,89 KB)
PDFIXGH25N120 Datasheet Copertura
IXGH25N120 Datasheet Pagina 2

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IXGH25N120A Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 25A
Potenza - Max200W
Switching Energy11mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge130nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C100ns/650ns
Condizione di test960V, 25A, 33Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXGH)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 10A

Potenza - Max

92W

Switching Energy

320µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

52nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/178ns

Condizione di test

400V, 10A, 25Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3

IRG4BC20K-S

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

150µJ (on), 250µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

34nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/150ns

Condizione di test

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

APT70GR65B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

134A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

260A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 70A

Potenza - Max

595W

Switching Energy

1.51mJ (on), 1.46mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

305nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/170ns

Condizione di test

433V, 70A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

NGTB60N60SWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

Potenza - Max

298W

Switching Energy

1.41mJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

173nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

87ns/180ns

Condizione di test

400V, 60A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

76ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tempo di recupero inverso (trr)

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Tipo di montaggio

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