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IXGH20N60BD1

IXGH20N60BD1

Solo per riferimento

Numero parte IXGH20N60BD1
PNEDA Part # IXGH20N60BD1
Descrizione IGBT 600V 40A 150W TO247AD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.308
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGH20N60BD1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGH20N60BD1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGH20N60BD1, IXGH20N60BD1 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 54,26 KB)
PDFIXGT20N60BD1 Datasheet Copertura
IXGT20N60BD1 Datasheet Pagina 2

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IXGH20N60BD1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 20A
Potenza - Max150W
Switching Energy700µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge55nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C15ns/110ns
Condizione di test480V, 20A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXGH)

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Produttore

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Potenza - Max

62.5W

Switching Energy

456µJ (on), 411µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

226nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

52ns/208ns

Condizione di test

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 16A

Potenza - Max

190W

Switching Energy

380µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

33nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/116ns

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 75A

Potenza - Max

750W

Switching Energy

2.3mJ (on), 770µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

248nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/136ns

Condizione di test

400V, 75A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

55ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerTO-247-3

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

Potenza - Max

375W

Switching Energy

626µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

306nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/160ns

Condizione di test

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

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