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IXGH12N100

IXGH12N100

Solo per riferimento

Numero parte IXGH12N100
PNEDA Part # IXGH12N100
Descrizione IGBT 1000V 24A 100W TO247AD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.596
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 2 - giu 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGH12N100 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGH12N100
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGH12N100, IXGH12N100 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 35,84 KB)
PDFIXGH12N100 Datasheet Copertura
IXGH12N100 Datasheet Pagina 2

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IXGH12N100 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1000V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)24A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)48A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 12A
Potenza - Max100W
Switching Energy2.5mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge65nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C100ns/850ns
Condizione di test800V, 12A, 120Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXGH)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

54A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 18A

Potenza - Max

390W

Switching Energy

1.9mJ (on), 1.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

165nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/170ns

Condizione di test

960V, 18A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

IRGS8B60KPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

28A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

Potenza - Max

167W

Switching Energy

160µJ (on), 160µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

29nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/140ns

Condizione di test

400V, 8A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

FGPF10N60UNDF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 10A

Potenza - Max

42W

Switching Energy

150µJ (on), 50µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

37nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

8ns/52.2ns

Condizione di test

400V, 10A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

37.7ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

STGW30H60DFB

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

260W

Switching Energy

383µJ (on), 293µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

149nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

37ns/146ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

53ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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