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IXGF25N250

IXGF25N250

Solo per riferimento

Numero parte IXGF25N250
PNEDA Part # IXGF25N250
Descrizione IGBT 2500V 30A 114W I4-PAK
Produttore IXYS
Prezzo unitario
1 ---------- $56,1274
100 ---------- $53,4964
250 ---------- $50,8654
500 ---------- $48,2345
750 ---------- $46,0420
1.000 ---------- $43,8495
Disponibile 746
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGF25N250 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGF25N250
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGF25N250, IXGF25N250 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 222,95 KB)
PDFIXGF25N250 Datasheet Copertura
IXGF25N250 Datasheet Pagina 2 IXGF25N250 Datasheet Pagina 3 IXGF25N250 Datasheet Pagina 4 IXGF25N250 Datasheet Pagina 5

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IXGF25N250 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)2500V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic5.2V @ 15V, 75A
Potenza - Max114W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge75nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodiai4-Pac™-5 (3 Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS i4-PAC™

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

58A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

Potenza - Max

195W

Switching Energy

3.8mJ (on), 4.1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

106nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

600V, 35A, 27Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

350ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS247™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

IXBK55N300

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

130A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 55A

Potenza - Max

625W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

335nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.9µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

320A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

700A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 15V, 100A

Potenza - Max

1000W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

560nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXGK)

NGTB30N60FWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Potenza - Max

167W

Switching Energy

650µJ (on), 650µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

170nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

81ns/190ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

72ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

STGWT28IH125DF

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1250V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 25A

Potenza - Max

375W

Switching Energy

720µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

114nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/128ns

Condizione di test

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

Venduto di recente

SMBJ28A-E3/52

SMBJ28A-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 28V 45.5V DO214AA

SMAJ6.0A

SMAJ6.0A

Bourns

TVS DIODE 6V 10.3V SMA

NJM2670E3

NJM2670E3

NJR Corporation/NJRC

IC MTRDRV BIPLR 4.75-5.25V 24EMP

HX5401NL

HX5401NL

Pulse Electronics Network

XFRMR MODL 4PORT POE GIGABIT

CMSH1-40 TR13

CMSH1-40 TR13

Central Semiconductor Corp

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB

TPSB336K016R0350

TPSB336K016R0350

CAP TANT 33UF 10% 16V 1411

MC9S08DN16CLC

MC9S08DN16CLC

NXP

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32LQFP

ADG658YRUZ

ADG658YRUZ

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 8X1 16TSSOP

PDB-C134

PDB-C134

Advanced Photonix

SENSOR PHOTODIODE 950NM RADIAL

MCP6002-E/SN

MCP6002-E/SN

Microchip Technology

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

NJM7808FA

NJM7808FA

NJR Corporation/NJRC

IC REG LINEAR 8V 1.5A TO220F

7440430022

7440430022

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FIXED IND 2.2UH 2.5A 28 MOHM SMD