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IXFV96N15PS

IXFV96N15PS

Solo per riferimento

Numero parte IXFV96N15PS
PNEDA Part # IXFV96N15PS
Descrizione MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220-S
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.754
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXFV96N15PS Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXFV96N15PS
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXFV96N15PS, IXFV96N15PS Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 318,85 KB)
PDFIXFV96N15PS Datasheet Copertura
IXFV96N15PS Datasheet Pagina 2 IXFV96N15PS Datasheet Pagina 3 IXFV96N15PS Datasheet Pagina 4 IXFV96N15PS Datasheet Pagina 5

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IXFV96N15PS Specifiche

ProduttoreIXYS
SeriePolarHT™ HiPerFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C96A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3500pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)480W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePLUS-220SMD
Pacchetto / CustodiaPLUS-220SMD

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7540pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta), 45W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP Advance (5x5)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

PMZ760SN,315

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.22A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.05nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

23pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN1006-3

Pacchetto / Custodia

SC-101, SOT-883

NVMFS5C430NLWFAFT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

38A (Ta), 200A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

STP21NM60N

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

140W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

390mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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0458002.DR

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