IXFP30N25X3M
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| Numero parte | IXFP30N25X3M |
| PNEDA Part # | IXFP30N25X3M |
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.372 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFP30N25X3M Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXFP30N25X3M |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IXFP30N25X3M Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 36W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 Isolated Tab |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1960pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 130W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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