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IXFN74N100X

IXFN74N100X

Solo per riferimento

Numero parte IXFN74N100X
PNEDA Part # IXFN74N100X
Descrizione MOSFET 1000V 74A ULTRA JUNCTION
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.626
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IXFN74N100X Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXFN74N100X
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXFN74N100X, IXFN74N100X Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 185,07 KB)
PDFIXFN74N100X Datasheet Copertura
IXFN74N100X Datasheet Pagina 2 IXFN74N100X Datasheet Pagina 3 IXFN74N100X Datasheet Pagina 4 IXFN74N100X Datasheet Pagina 5 IXFN74N100X Datasheet Pagina 6

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IXFN74N100X Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C74A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs66mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs425nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds17000pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1170W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227B
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CFD2

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 900µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2340pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

195.3W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3-41

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

IPD65R950C6ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C6

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

950mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

328pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

37W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTLGF3402PT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

FETKY™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.14W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-DFN (3x3)

Pacchetto / Custodia

6-VDFN Exposed Pad

FCA36N60NF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

FRFET®, SuperFET® II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34.9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

112nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4245pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

312W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PN

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

IRF8304MTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A (Ta), 170A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4700pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.8W (Ta), 100W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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