IXFN50N80Q2
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Numero parte | IXFN50N80Q2 | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | IXFN50N80Q2 | ||||||||||||||||||
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B | ||||||||||||||||||
Produttore | IXYS | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 14 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | giu 5 - giu 10 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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IXFN50N80Q2 Risorse
Brand | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IXFN50N80Q2 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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IXFN50N80Q2 Specifiche
Produttore | IXYS |
Serie | HiPerFET™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13500pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1135W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Pacchetto / Custodia | SOT-227-4, miniBLOC |
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