IXFK180N07
![IXFK180N07](http://pneda.ltd/static/products/images_mk/400/IXFK180N07.webp)
Solo per riferimento
Numero parte | IXFK180N07 |
PNEDA Part # | IXFK180N07 |
Descrizione | MOSFET N-CH 70V 180A TO-264AA |
Produttore | IXYS |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.748 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida) |
Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
IXFK180N07 Risorse
Brand | IXYS |
ECAD Module |
![]() |
Mfr. Numero di parte | IXFK180N07 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
Payment Method
![TT](/res/v2/images/help/p-tt.gif )
![Unionpay](/res/v2/images/help/p-unionpay.gif )
![paypal](/res/v2/images/help/p-paypal.gif )
![paypalwtcreditcard](/res/v2/images/help/p-paypalwtcreditcard.gif )
![alipay](/res/v2/images/help/p-alipay.gif )
![wu](/res/v2/images/help/p-wu.gif )
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
![TNT](/res/v2/images/help/s-tnt.gif )
![UPS](/res/v2/images/help/s-ups.gif )
![Fedex](/res/v2/images/help/s-fedex.gif )
![EMS](/res/v2/images/help/s-ems.gif )
![DHL](/res/v2/images/help/s-dhl.gif )
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IXFK180N07 Datasheet
- where to find IXFK180N07
- IXYS
- IXYS IXFK180N07
- IXFK180N07 PDF Datasheet
- IXFK180N07 Stock
- IXFK180N07 Pinout
- Datasheet IXFK180N07
- IXFK180N07 Supplier
- IXYS Distributor
- IXFK180N07 Price
- IXFK180N07 Distributor
IXFK180N07 Specifiche
Produttore | IXYS |
Serie | HiPerFET™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 70V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 420nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9400pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 568W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264AA (IXFK) |
Pacchetto / Custodia | TO-264-3, TO-264AA |
I prodotti a cui potresti essere interessato
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 32V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1760pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.14W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PS-8 Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead |
Produttore NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 5V Vgs (massimo) ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4633pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 211W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.2nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1113pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 820mW (Ta), 25.5W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) Temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Transphorm Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N-Channel Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 22A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 700µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 8V Vgs (massimo) ±18V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 400V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |