IXFH12N50F
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Numero parte | IXFH12N50F |
PNEDA Part # | IXFH12N50F |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 12A TO247 |
Produttore | IXYS-RF |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.112 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFH12N50F Risorse
Brand | IXYS-RF |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IXFH12N50F |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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IXFH12N50F Specifiche
Produttore | IXYS-RF |
Serie | HiPerRF™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1870pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 180W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 (IXFH) |
Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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