IXFH12N120P
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| Numero parte | IXFH12N120P |
| PNEDA Part # | IXFH12N120P |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.236 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXFH12N120P Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXFH12N120P |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IXFH12N120P Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 543W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXFH) |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-92MOD Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
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