IXFB40N110P
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Numero parte | IXFB40N110P |
PNEDA Part # | IXFB40N110P |
Descrizione | MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 |
Produttore | IXYS |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.898 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | giu 2 - giu 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXFB40N110P Risorse
Brand | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IXFB40N110P |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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IXFB40N110P Specifiche
Produttore | IXYS |
Serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 1100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 310nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 19000pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1250W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS264™ |
Pacchetto / Custodia | TO-264-3, TO-264AA |
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