IXFA10N80P
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Numero parte | IXFA10N80P |
PNEDA Part # | IXFA10N80P |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 |
Produttore | IXYS |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.072 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFA10N80P Risorse
Brand | IXYS |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IXFA10N80P |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IXFA10N80P Specifiche
Produttore | IXYS |
Serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (IXFA) |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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