IXF611S1T/R
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| Numero parte | IXF611S1T/R |
| PNEDA Part # | IXF611S1T-R |
| Descrizione | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.698 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXF611S1T/R Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXF611S1T/R |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
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IXF611S1T/R Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | - |
| Tipo di canale | - |
| Numero di driver | - |
| Tipo di porta | - |
| Tensione - Alimentazione | - |
| Tensione logica - VIL, VIH | - |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | - |
| Tipo di ingresso | - |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.9V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 200mA, 350mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 150ns, 50ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 14-SOIC |
