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IXDR30N120

IXDR30N120

Solo per riferimento

Numero parte IXDR30N120
PNEDA Part # IXDR30N120
Descrizione IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.802
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXDR30N120 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXDR30N120
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXDR30N120, IXDR30N120 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 194,4 KB)
PDFIXDR30N120 Datasheet Copertura
IXDR30N120 Datasheet Pagina 2 IXDR30N120 Datasheet Pagina 3 IXDR30N120 Datasheet Pagina 4

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IXDR30N120 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 30A
Potenza - Max200W
Switching Energy4.6mJ (on), 3.4mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge120nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test600V, 30A, 47Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaISOPLUS247™
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS247™

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Potenza - Max

428W

Switching Energy

1.74mJ (on), 560µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

225nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/490ns

Condizione di test

600V, 25A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 Long Leads

IKD06N60RAATMA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

48nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/127ns

Condizione di test

400V, 6A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

68ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

IRG7CH75UEF-R

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

770nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

120ns/890ns

Condizione di test

600V, 100A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

34A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

68A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 17A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

100ns/500ns

Condizione di test

800V, 17A, 82Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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