IXDI602SIA
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| Numero parte | IXDI602SIA |
| PNEDA Part # | IXDI602SIA |
| Descrizione | MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO |
| Produttore | IXYS Integrated Circuits Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 15.804 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 1 - giu 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXDI602SIA Risorse
| Brand | IXYS Integrated Circuits Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXDI602SIA |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
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IXDI602SIA Specifiche
| Produttore | IXYS Integrated Circuits Division |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Low-Side |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 35V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 2A, 2A |
| Tipo di ingresso | Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 7.5ns, 6.5ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 9V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.6A, 1.6A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 118V Tempo di salita / discesa (tipico) 600ns, 600ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 10-WSON (4x4) |
