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IXDH30N120

IXDH30N120

Solo per riferimento

Numero parte IXDH30N120
PNEDA Part # IXDH30N120
Descrizione IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.526
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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IXDH30N120 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXDH30N120
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXDH30N120, IXDH30N120 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 84,66 KB)
PDFIXDT30N120 Datasheet Copertura
IXDT30N120 Datasheet Pagina 2 IXDT30N120 Datasheet Pagina 3 IXDT30N120 Datasheet Pagina 4

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IXDH30N120 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)60A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)76A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 30A
Potenza - Max300W
Switching Energy4.6mJ (on), 3.4mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge120nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test600V, 30A, 47Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXDH)

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

NPT, Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Potenza - Max

110W

Switching Energy

2.7mJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

85nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/520ns

Condizione di test

600V, 15A, 56Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

140ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

IRG7PG35U-EPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

55A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Potenza - Max

210W

Switching Energy

1.06mJ (on), 620µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

85nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/160ns

Condizione di test

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

RJH60A83RDPE-00#J3

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 10A

Potenza - Max

52W

Switching Energy

230µJ (on), 160µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

19.7nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

31ns/54ns

Condizione di test

300V, 10A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

130ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-83

Pacchetto dispositivo fornitore

4-LDPAK

IRG4IBC10UD

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6.8A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

27A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Potenza - Max

25W

Switching Energy

140µJ (on), 120µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

15nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/87ns

Condizione di test

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

28ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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430ns

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