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IXDF504SIA

IXDF504SIA

Solo per riferimento

Numero parte IXDF504SIA
PNEDA Part # IXDF504SIA
Descrizione IC GATE DRIVER 4A 8-SOIC
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.480
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXDF504SIA Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXDF504SIA
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
IXDF504SIA, IXDF504SIA Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 410,3 KB)
PDFIXDN504D1T/R Datasheet Copertura
IXDN504D1T/R Datasheet Pagina 2 IXDN504D1T/R Datasheet Pagina 3 IXDN504D1T/R Datasheet Pagina 4 IXDN504D1T/R Datasheet Pagina 5 IXDN504D1T/R Datasheet Pagina 6 IXDN504D1T/R Datasheet Pagina 7 IXDN504D1T/R Datasheet Pagina 8 IXDN504D1T/R Datasheet Pagina 9 IXDN504D1T/R Datasheet Pagina 10 IXDN504D1T/R Datasheet Pagina 11

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IXDF504SIA Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 30V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 3V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)4A, 4A
Tipo di ingressoInverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)9ns, 8ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 15.6V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

RC Input Circuit

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

80ns, 45ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MAX620EWN+T

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

4

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 16.5V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

1.7µs, 2.5µs

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

18-SOIC

SC1205CSTRT

Semtech

Produttore

Semtech Corporation

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.15V ~ 6V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

25V

Tempo di salita / discesa (tipico)

14ns, 12ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

MIC4124YME

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

11ns, 11ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

IR21084PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.9V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

200mA, 350mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

150ns, 50ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP (0.300", 7.62mm)

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