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IXDE509SIA

IXDE509SIA

Solo per riferimento

Numero parte IXDE509SIA
PNEDA Part # IXDE509SIA
Descrizione IC GATE DRIVER 9A 8-SOIC
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.744
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXDE509SIA Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXDE509SIA
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
IXDE509SIA, IXDE509SIA Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 402,26 KB)
PDFIXDD509D1T/R Datasheet Copertura
IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 2 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 3 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 4 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 5 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 6 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 7 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 8 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 9 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 10 IXDD509D1T/R Datasheet Pagina 11

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IXDE509SIA Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleSingle
Numero di driver1
Tipo di portaIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 30V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2.4V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)9A, 9A
Tipo di ingressoInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)25ns, 23ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

1.4V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Tempo di salita / discesa (tipico)

10ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-TDFN (4x4)

TC426EPA

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

30ns, 30ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

IRS21834STRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.9A, 2.3A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

40ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SOIC

ICL7667CPA+

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 17V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 20ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

ADP3118JCPZ-RL

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.15V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

25V

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 20ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VFDFN Exposed Pad, CSP

Pacchetto dispositivo fornitore

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