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IXBX75N170

IXBX75N170

Solo per riferimento

Numero parte IXBX75N170
PNEDA Part # IXBX75N170
Descrizione IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.940
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 7 - giu 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXBX75N170 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXBX75N170
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXBX75N170, IXBX75N170 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 179,72 KB)
PDFIXBX75N170 Datasheet Copertura
IXBX75N170 Datasheet Pagina 2 IXBX75N170 Datasheet Pagina 3 IXBX75N170 Datasheet Pagina 4 IXBX75N170 Datasheet Pagina 5

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IXBX75N170 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieBIMOSFET™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)200A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)580A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 75A
Potenza - Max1040W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge350nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)1.5µs
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitorePLUS247™-3

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

84A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Potenza - Max

290W

Switching Energy

4.5mJ (on), 5.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

190nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

600V, 50A, 15Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS247™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

IRGB8B60KPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

28A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

26A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

Potenza - Max

167W

Switching Energy

160µJ (on), 160µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

18.2nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/140ns

Condizione di test

400V, 5A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

NGB8206NTF4

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

390V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/5µs

Condizione di test

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

STGW40NC60KD

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

595µJ (on), 716µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

135nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

46ns/164ns

Condizione di test

480V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

45ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 Long Leads

IRGB4059DPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

16A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 4A

Potenza - Max

56W

Switching Energy

35µJ (on), 75µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

9nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/65ns

Condizione di test

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

55ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Venduto di recente

7447789002

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VUB72-12NOXT

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BRIDGE RECT 3P 1.2KV 75A V1A-PAK

LM317T

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ON Semiconductor

IC REG LIN POS ADJ 1.5A TO220AB

ADP3330ARTZ-5-RL7

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Analog Devices

IC REG LINEAR 5V 200MA SOT23-6

ADM2484EBRWZ

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Analog Devices

DGTL ISO 5KV RS422/RS485 16SOIC

CRM2512-JW-103ELF

CRM2512-JW-103ELF

Bourns

RES SMD 10K OHM 5% 2W 2512

S29GL064N90DFI010

S29GL064N90DFI010

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA